边缘湿法刻蚀设备
应用于集成电路湿法工艺
盛美上海的边缘湿法刻蚀设备支持多种器件和工艺,包括3D NAND、DRAM和先进逻辑工艺,使用湿法刻蚀方法来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜,以及颗粒污染物。
边缘湿法刻蚀设备
主要优势
用于晶圆边缘多种不同叠加薄膜层的刻蚀清洗,提高先进工艺的晶圆边缘良率
高刻蚀精度,刻蚀宽度大小可调
自主专利技术可做到更精准高效的晶圆对准,控制精度高、均匀性高,可实现精准边缘刻蚀
高产能,低化学品消耗
设备和工艺可扩展至10nm以下工艺技术节点
对下层材料刻蚀具有高选择比,对晶圆无损伤的特点
出色的晶圆边缘清洗能力,更好的颗粒控制
可灵活应用于多种衬底材料,包括重掺杂片、Bonding 片、超薄片等
特性和规格
适用于12寸晶圆边缘清洗
最多可配置4个Lord Port
可配置12个工艺腔体
真空夹盘对晶圆进行夹持
可对晶圆正背面边缘进行清洗,最多可配备5种药液进行清洗工艺
每个腔体均配置高精度的晶圆对中单元
可配置高精度的晶圆边缘检测单元