边缘湿法刻蚀设备

应用于集成电路湿法工艺

盛美上海的边缘湿法刻蚀设备支持多种器件和工艺，包括3D NAND、DRAM和先进逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。

主要优势

用于晶圆边缘多种不同叠加薄膜层的刻蚀清洗，提高先进工艺的晶圆边缘良率

高刻蚀精度，刻蚀宽度大小可调

自主专利技术(中国发明专利;专利号: ZL 2014 8 0079603.3)可做到更精准高效的晶圆对准，控制精度高、均匀性高，可实现精准边缘刻蚀

高产能，低化学品消耗

设备和工艺可扩展至10nm以下工艺技术节点

对下层材料刻蚀具有高选择比，对晶圆无损伤的特点

出色的晶圆边缘清洗能力，更好的颗粒控制

可灵活应用于多种衬底材料，包括重掺杂片、Bonding 片、超薄片等

适用于12寸晶圆边缘清洗

最多可配置4个Lord Port

可配置12个工艺腔体

真空夹盘对晶圆进行夹持

可对晶圆正背面边缘进行清洗，最多可配备5种药液进行清洗工艺

每个腔体均配置高精度的晶圆对中单元

可配置高精度的晶圆边缘检测单元