电镀设备

应用于化合物半导体制造

盛美上海的该电镀设备支持化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金(Au)镀到背面深孔工艺中,具有更好的均匀性和台阶覆盖率。

电镀设备

  
该设备集成了预湿和后清洗腔,支持用于铜、镍和锡银的铜柱和焊料,以及重分布层 (RDL) 和凸点下金属化 (UBM) 工艺。

主要优势

兼容6吋以及8吋平台

水平式电镀,无交叉污染

真空下正面喷淋式预湿腔体

第二阳极技术Flat 区域高度可控

模块化设计


特性和规格

可配置2个Open Cassette

晶圆尺寸: 150mm, 159mm, 200mm

可配置预湿腔体、清洗腔体及电镀腔体Cu,Ni, SnAg等

设备尺寸:1850x4150x2450 mm

Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV

工艺性能:
    片内均匀性:<5% (3 sigma)
    片间均匀性:< 3%
    重复性:< 3%


 

该设备提供金凸块、薄膜和深通孔工艺,集成预湿和后清洗腔。设备采用盛美上海久经考验的栅板技术进行深孔电镀,以提高阶梯覆盖率。

主要优势

兼容6吋以及8吋平台

水平式电镀,无交叉污染

腔体氛围氮气保护

真空下正面喷淋式预湿腔体

第二阳极技术Flat 区域高度可控

模块化设计

适用于Au 凸块, Au薄膜, Au 深孔电镀

良好的深孔台阶覆盖性能


特性和规格

可配置2个Open Cassette及1个真空手臂

晶圆尺寸: 150mm, 159mm, 200mm

可配置预湿腔体、清洗腔体及电镀腔体Au

设备尺寸:1850x3850x2450 mm

Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV

工艺性能:
    片内均匀性:<5% (3 sigma)
    片间均匀性:< 3%
    重复性: <3%