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应用于化合物半导体制造
盛美上海的该电镀设备支持化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔工艺中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率。
兼容6吋以及8吋平台
水平式电镀，无交叉污染
真空下正面喷淋式预湿腔体
第二阳极技术Flat 区域高度可控
模块化设计
可配置2个Open Cassette
晶圆尺寸: 150mm, 159mm, 200mm
可配置预湿腔体、清洗腔体及电镀腔体Cu,Ni, SnAg等
设备尺寸：1850x4150x2450 mm
Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV
工艺性能:
片内均匀性：<5% (3 sigma)
片间均匀性：< 3%
重复性：< 3%
兼容6吋以及8吋平台
水平式电镀，无交叉污染
腔体氛围氮气保护
真空下正面喷淋式预湿腔体
第二阳极技术Flat 区域高度可控
模块化设计
适用于Au 凸块, Au薄膜, Au 深孔电镀
良好的深孔台阶覆盖性能
可配置2个Open Cassette及1个真空手臂
晶圆尺寸: 150mm, 159mm, 200mm
可配置预湿腔体、清洗腔体及电镀腔体Au
设备尺寸：1850x3850x2450 mm
Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV
工艺性能:
片内均匀性：<5% (3 sigma)
片间均匀性：< 3%
重复性: <3%
