电镀设备
应用于化合物半导体制造
盛美上海的该电镀设备支持化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金(Au)镀到背面深孔工艺中,具有更好的均匀性和台阶覆盖率。
电镀设备
该设备集成了预湿和后清洗腔,支持用于铜、镍和锡银的铜柱和焊料,以及重分布层 (RDL) 和凸点下金属化 (UBM) 工艺。
主要优势
兼容6吋以及8吋平台
水平式电镀,无交叉污染
真空下正面喷淋式预湿腔体
第二阳极技术Flat 区域高度可控
模块化设计
特性和规格
可配置2个Open Cassette
晶圆尺寸: 150mm, 159mm, 200mm
可配置预湿腔体、清洗腔体及电镀腔体Cu,Ni, SnAg等
设备尺寸:1850x4150x2450 mm
Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV
工艺性能:
片内均匀性:<5% (3 sigma)
片间均匀性:< 3%
重复性:< 3%
该设备提供金凸块、薄膜和深通孔工艺,集成预湿和后清洗腔。设备采用盛美上海久经考验的栅板技术进行深孔电镀,以提高阶梯覆盖率。
主要优势
兼容6吋以及8吋平台
水平式电镀,无交叉污染
腔体氛围氮气保护
真空下正面喷淋式预湿腔体
第二阳极技术Flat 区域高度可控
模块化设计
适用于Au 凸块, Au薄膜, Au 深孔电镀
良好的深孔台阶覆盖性能
特性和规格
可配置2个Open Cassette及1个真空手臂
晶圆尺寸: 150mm, 159mm, 200mm
可配置预湿腔体、清洗腔体及电镀腔体Au
设备尺寸:1850x3850x2450 mm
Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV
工艺性能:
片内均匀性:<5% (3 sigma)
片间均匀性:< 3%
重复性: <3%