可对碳化硅和硅衬底进行清洗的Post-CMP设备
2022-8-31 0:00:00
在本文中，我们将介绍最新开发的清洗应用 — Post-CMP清洗，这对于碳化硅和传统硅片而言至关重要。MarketWatch的数据显示，2020年全球Post-CMP清洗解决方案市场价值为1.422亿美元，预计到2027年底将达到1.978亿美元。
Post-CMP清洗（即在CMP步骤后进行物理预清洗工艺）需要严格控制CMP缺陷，并满足设备可靠性和高产能的要求。这需要减少黏附在晶圆表面各种状态的颗粒、有机残留物和金属污染物，同时不对晶圆表面造成损害。
虽然CMP设备通常附带清洗模块，但碳化硅晶圆的直径通常为6英寸，而并非每个6英寸的CMP设备均配有清洗模块。因为CMP设备主要适用于非化合物半导体晶圆，而非化合物半导体晶圆可能并无过于严格的清洗要求。在研发该清洗设备时，我们探索如何更好地利用自身现有的成熟技术（包括先进的Smart Megasonix清洗技术），以满足客户对此设备的各种应用要求。
·保持良率
当晶圆从CMP设备中取出后，会浸入大水槽，水槽内装有来自CMP工艺的晶圆盒，晶圆盒上方流淌着冷去离子水。将湿润的晶圆取出，放入腔体内，刷洗晶圆正面和背面并清洗斜面。在清洗碳化硅晶圆时，可能会有CMP药液尚未完全脱落，这意味着晶圆在烘干时，药液仍未去除 — 且仍有污染物附着于晶圆表面。我们的Post-CMP清洗设备具有双侧刷洗及清洗功能，可确保晶圆抛光后无药液和碳化硅残留物。我们的Post-CMP清洗设备就是我们所说的湿进干出（WIDO）预清洗配置。刷洗晶圆后，将湿润的晶圆转移至两个或四个清洗腔体中，并使用多达三种化学品药液进行处理，在每种药液处理过后均需进行冲洗，再使用去离子水冲洗，然后利用氮气（N2）进行干燥。完成以上操作后，晶圆将呈现出卓越的粒子性能，并进入测试和基带准备。
·挑选最合适的设备
如需清洗碳化硅晶圆，您可选择6或8英寸（150或200毫米）的Post-CMP清洗设备；如需清洗硅晶圆，您可选择配置四或六个腔体的8或12英寸（200或300毫米）清洗设备。集成WIDO配置（可直接连接至CMP设备）广受欢迎，因为在工艺过程中需要保持晶圆湿润，并且如前文所述，这对于碳化硅至关重要。此外，我们已设计更多的版本来满足客户的特定需求。我们还提供WIDO离线预清洗设备。在这种情况下，湿晶圆从CMP设备转移至去离子水槽，然后手动转移至WIDO离线设备中。相较于WIDO在线配置，WIDO离线清洗设备的清洗工艺相同，且可最终实现同等的粒子性能，因此，若选择这种可节省晶圆厂占地面积的清洗设备，我们也将竭诚为您服务。
您如果使用的CMP平台附带内置的清洗腔体，硅片从设备中出来时是干燥的，则可选择我们的干进干出（DIDO）配置， 其中，DIDO预清洗独立设备比WIDO预清洗设备占地面积小。在DIDO配置中，晶圆通过装载端口手动转移至预清洗设备中，以进行清洗处理，这与WIDO预清洗设备的处理方式相同。碳化硅晶圆无法在设备中进行清洗，因其需要采用WIDO方法来防止晶圆在置入时造成破损。
·日益增长的期望
虽然我们在零部件供货方面遇到了一些与同行其他公司相同的挑战，但随着供应链问题的持续改善，交货时间也在不断缩短。我们始终致力于推出Ultra C Post-CMP清洗设备，并很高兴能与您合作。欧洲和美国的一些芯片制造商对我们的产品很感兴趣，而中国的很多客户已经在晶圆上运用。盛美上海期待与您合作，我们将努力设计和制造最能满足您Post-CMP清洗需求的半导体设备。
